SGT60T65FD

د.ج 650,00

Transistor IGBT Canal N avec diode de récupération rapide intégrée (Technologie Field Stop) 
650V | 120A (60A à 100°C) | VCE(sat) 2.0V | 450W | TO-3PN (TO-3P)

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Transistor IGBT Canal N avec diode de récupération rapide intégrée (Technologie Field Stop)
650V | 120A (60A à 100°C) | VCE(sat) 2.0V | 450W | TO-3PN (TO-3P)

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