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ATP44GA60BD30C

د.ج 650,00

Transistor IGBT Punch-Through (PT) à commutation rapide (Technologie POWER MOS 8®) [1, 2]
600V | 78A | VCE(sat) 1.6V | 337W | TO-247 [1, 2]

 

Catégorie :

ATP44GA60BD30C

Transistor IGBT Punch-Through (PT) à commutation rapide (Technologie POWER MOS 8®) [1, 2]
600V | 78A | VCE(sat) 1.6V | 337W | TO-247 [1, 2]

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