image HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

د.ج 900,00

Transistor IGBT à canal N avec diode antiparallèle intégrée (Technologie NPT – Non-Punch Through) [1, 2]
1200V | 35A | VCE(sat) 2.45V | 298W | TO-247 [1, 2]
Catégorie :

HGTG10N120BND

Transistor IGBT à canal N avec diode antiparallèle intégrée (Technologie NPT – Non-Punch Through) [1, 2]
1200V | 35A | VCE(sat) 2.45V | 298W | TO-247 [1, 2]

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