4N1012
(IPD60N10S4-12)
Transistor MOSFET de puissance N-Channel (Technologie OptiMOS-T2, Qualifié AEC-Q101 pour l’automobile, Idéal pour les environnements à haute température)
100V | 60A | RDS(on) 12.2 mΩ | 94W | TO-252 (DPAK)
-Vous pouvez consulter la fiche technique complète icI
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