4N10L12
(IPD60N10S4L-12)
MOSFET de puissance canal N à niveau logique de qualité automobile (OptiMOS™-T2) de Infineon Technologies
Ce transistor haute fiabilité qualifié AEC-Q101 est optimisé pour les applications de commutation sévères, la gestion de batterie et le contrôle de moteurs en environnement haute température.
VDSS 100V / ID 60A / RDS(on) 12 mΩ / Boîtier TO-252 (DPAK)
-Vous pouvez consulter la fiche technique complète icI
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