G15T120BK3SD

د.ج 650,00

Transistor IGBT + diode

,1200V | 15A | VCE(sat) 2.5V | 236W | TO-247

Catégorie :

G15T120BK3SD

Transistor IGBT discret avec diode à récupération rapide intégrée
(Technologie Trench Field Stop, conçu pour les onduleurs, les alimentations UPS et les variateurs de fréquence)
1200V | 15A (30A à 25°C) | VCE(sat) 2.5V | 236W | TO-247
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