G15T120BK3SD
Transistor IGBT discret avec diode à récupération rapide intégrée
(Technologie Trench Field Stop, conçu pour les onduleurs, les alimentations UPS et les variateurs de fréquence)
1200V | 15A (30A à 25°C) | VCE(sat) 2.5V | 236W | TO-247
(Technologie Trench Field Stop, conçu pour les onduleurs, les alimentations UPS et les variateurs de fréquence)
1200V | 15A (30A à 25°C) | VCE(sat) 2.5V | 236W | TO-247
- Cliquez ici pour la Fiche technique détaillée
- Découvrez notre gamme de Transistors IGBT





