GT60N322
Transistor IGBT de puissance à canal N certifié pour applications à haute intensité et haute tension (Toshiba Semiconductor).
(Conçu pour la commutation rapide et efficace dans les plaques à induction, les inverters, les systèmes de soudure et les modules de puissance industriels et automobiles).
1000V | 60A | VCE(sat) 2.1V typ. | 190w / TO-3P
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