NCE80TD65BT
Transistor IGBT discret avec diode à récupération rapide intégrée
(Technologie Trench Field Stop II, conçu pour les onduleurs, la climatisation et le contrôle de moteurs)
650V | 80A (160A à 25°C) | VCE(sat) 1.7V | 385W | TO-247
650V | 80A (160A à 25°C) | VCE(sat) 1.7V | 385W | TO-247
- Cliquez ici pour la Fiche technique détaillée
- Découvrez notre gamme de Transistors IGBT
