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3N10L26

د.ج 750,00

IPD35N10S3L-26

Transistor MOSFET de puissance à canal N de niveau logique qualifié automobile
(Technologie OptiMOS™-T, conçu pour les convertisseurs 48V, la gestion de batterie et le contrôle de moteurs CC)
100V | 35A (140A en courant pulsé) | RDS(on) 24 mΩ (Typ.) / 26 mΩ (Max) | 71W | TO-252

 

 

3N10L26

(IPD35N10S3L-26)

Transistor MOSFET de puissance à canal N de niveau logique qualifié automobile
(Technologie OptiMOS™-T, conçu pour les convertisseurs 48V, la gestion de batterie et le contrôle de moteurs CC)
100V | 35A (140A en courant pulsé) | RDS(on) 24 mΩ (Typ.) / 26 mΩ (Max) | 71W | TO-252

Consultez la fiche technique complète du ici :

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