image GT60M324 transistor IGBT 900V 60A

GT60M324

د.ج 1.500,00

Transistor Silicon N-Channel IGBT avec diode à récupération rapide (FRD) intégrée [1]
900V | 60A | VCE(sat) 1.7V | 254W | TO-3PN [1, 2]
Catégorie :

GT60M324

Transistor Silicon N-Channel IGBT avec diode à récupération rapide (FRD) intégrée [1]
900V | 60A | VCE(sat) 1.7V | 254W | TO-3PN [1, 2]

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