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MBQ40T120FES

د.ج 950,00

Transistor IGBT à haute vitesse avec diode antiparallèle à récupération ultra-douce et rapide intégrée (Technologie FieldStop Trench) [1]
1200V | 40A (80A Max) | VCE(sat) 2.0V | 357W | TO-247 [1, 2]
Catégorie :

MBQ40T120FES

Transistor IGBT à haute vitesse avec diode antiparallèle à récupération ultra-douce et rapide intégrée (Technologie FieldStop Trench) [1]
1200V | 40A (80A Max) | VCE(sat) 2.0V | 357W | TO-247 [1, 2]

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