MPM3003
MODULE DE PUISSANCE ICE PACK
Transistor FET , 10 A I(D), 60 V, 0,15 ohm
6 éléments, canal N et canal P, silicium, semi-conducteur à oxyde métallique FET
د.ج 1.200,00
Transistor FET , 10 A I(D), 60 V, 0,15 ohm, 6 éléments, canal N et canal P, silicium, semi-conducteur à oxyde métallique FET
MPM3003
MODULE DE PUISSANCE ICE PACK
Transistor FET , 10 A I(D), 60 V, 0,15 ohm
6 éléments, canal N et canal P, silicium, semi-conducteur à oxyde métallique FET
Avis
Il n’y a pas encore d’avis.