SGT60T65FDM1

د.ج 550,00

Transistor IGBT discret avec diode de récupération rapide intégrée (Technologie Field Stop Trench)
650V | 60A | VCE(sat) 1.85V | 347W | TO-247
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SGT60T65FDM1

Transistor IGBT discret avec diode de récupération rapide intégrée (Technologie Field Stop Trench)
650V | 60A | VCE(sat) 1.85V | 347W | TO-247

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