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STGB10NC60KDT4

د.ج 450,00

Transistor IGBT à commutation rapide protégé contre les courts-circuits avec diode antiparallèle ultra-rapide intégrée (Technologie PowerMESH) [1]
600V | 10A (20A Max) | VCE(sat) 2.2V | 65W | D2PAK (TO-263) [1, 2]
Catégorie :

STGB10NC60KDT4

Transistor IGBT à commutation rapide protégé contre les courts-circuits avec diode antiparallèle ultra-rapide intégrée (Technologie PowerMESH) [1]
600V | 10A (20A Max) | VCE(sat) 2.2V | 65W | D2PAK (TO-263) [1, 2]

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