image YGW40N65F1

YGW40N65F1

د.ج 550,00

Transistor IGBT discret Canal N avec diode de récupération rapide intégrée (Technologie Trench Field Stop) [1, 2]
650V | 40A (80A Max) | VCE(sat) 2.4V | 188W | TO-247 [1, 2]
Catégorie :

YGW40N65F1

Transistor IGBT discret Canal N avec diode de récupération rapide intégrée (Technologie Trench Field Stop) [1, 2]
650V | 40A (80A Max) | VCE(sat) 2.4V | 188W | TO-247 [1, 2]

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