TRANSISTORS IGBT
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IHW20N120R3
د.ج 700,00Transistor IGBT à conduction inverse avec diode monolithique intégrée, optimisé pour la commutation douce (Technologie TRENCHSTOP). [1] -
IHW20N120R5 (H20MR5)
د.ج 800,00Transistor IGBT avec diode de roue libre à commutation douce intégrée (Technologie TRENCHSTOP 5)1200V | 20A | VCE(sat) 1.6V | 272W | TO-247 -
IHW30N135R5
د.ج 1.100,00Transistor IGBT de Puissance avec Diode Antiparallèle Intégrée
1350V | 30A (60A max à 25°C) | 330W | TO-247 -
IKP10N60T (K10T60)
د.ج 750,00Transistor IGBT à faible perte et commutation rapide avec diode de roue libre anti-parallèle intégrée (Technologie TRENCHSTOP)600V | 10A (20A Max) | VCE(sat) 1.5V | 110W | TO-220 -
IKW25N120T2
د.ج 1.150,00Transistor IGBT discret avec diode intégrée
1200V | 25A (50A à 25°C) | VCE(sat) 1.7V | 349W | TO-247 -
IKW40N120T2 (k40T1202)
د.ج 1.150,00Transistor IGBT discret à haute vitesse avec diode anti-parallèle à récupération rapide et douce intégrée (Technologie TRENCHSTOP 2)1200V | 40A | VCE(sat) 2.2V | 415W | TO-247 -
IKW40N65ES5
د.ج 650,00Transistor IGBT discret avec diode intégrée (Technologie TRENCHSTOP™ 5 S5)650V | 40A | VCE(sat) 1.35V | 250W | TO-247












