TRANSISTORS IGBT

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  • image GT30F127 En rupture de stock

    GT30F127

    transistor IGBT N-Channel

    330V / 200A (impulsion) / 25W / TO220F

    د.ج 250,00
  • image GT30F132 En rupture de stock

    GT30F132

    IGBT N-channel

    360v , 250a , 140w , to263

    د.ج 250,00
  • image GT30J124 En rupture de stock

    GT30J124

    transistor IGBT N-Channel

    600V / 60A / 26W / TO220F

    د.ج 250,00
  • image GT40WR21

    GT40WR21

    transistor IGBT N-Channel

    1800V , 40A , 375W / TO3PN

     

    د.ج 450,00
  • image GT45G122 En rupture de stock

    GT45G122

    transistor IGBT N-Channel

    300V , 45A , 25W /TO220F

    د.ج 200,00
  • image GT45G124 En rupture de stock

    GT45G124

    transistor IGBT -N

    300V , 45-200A / TO220F

    د.ج 300,00
  • image GT50JR22

    GT50JR22
    Transistor Silicon N-Channel RC-IGBT avec diode de roue libre intégrée (Technologie 6.5ème Génération) [1]
    600V | 50A | VCE(sat) 1.55V | 230W | TO-3P(N) [1, 2, 3]
    د.ج 650,00
  • image GT60M324 transistor IGBT 900V 60A

    GT60M324
    Transistor Silicon N-Channel IGBT avec diode à récupération rapide (FRD) intégrée [1]
    900V | 60A | VCE(sat) 1.7V | 254W | TO-3PN [1, 2]
    د.ج 1.500,00
  • image GT60N322

    GT60N322

    Transistor IGBT de puissance à canal N

    1000V | 60A | VCE(sat) 2.1V typ. | 190w / TO-3P

    د.ج 950,00
  • image H20PR5 (IHW20N135R5)

    H20PR5 (IHW20N135R5)
    Transistor IGBT avec diode antiparallèle intégrée (Technologue TRENCHSTOP) 
    1350V | 20A | VCE(sat) 1.65V | 288W | TO-247
    د.ج 750,00
  • image HGTD7N60C3S

    HGTD7N60C3S (G7N60C)
    Transistor Canal N IGBT de commutation ultra-rapide (UFS Série)
    600V | 14A | VCE(sat) 1.4V | 60W | TO-252AA (DPAK)
    د.ج 800,00
  • image HGTG10N120BND

    HGTG10N120BND
    Transistor IGBT à canal N avec diode antiparallèle intégrée (Technologie NPT – Non-Punch Through) [1, 2]
    1200V | 35A | VCE(sat) 2.45V | 298W | TO-247 [1, 2]
    د.ج 900,00
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